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產(chǎn)品中心

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當(dāng)前位置:首頁產(chǎn)品中心專用儀器儀表DP-SB120/2型四探針樣品測試平臺/樣品測試平臺

四探針樣品測試平臺/樣品測試平臺

產(chǎn)品簡介

四探針樣品測試平臺/樣品測試平臺 型號:DP-SB120/2型
DP-SB120/2型四探針樣品測試平臺是DP-SB120/1測試平臺的改型。其有底座、支架、旋動件、樣品平臺、四探針及接線板等組成

產(chǎn)品型號:DP-SB120/2型
更新時間:2018-03-14
廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
訪問量:2060

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四探針樣品測試平臺/樣品測試平臺 型號:DP-SB120/2型

DP-SB120/2型四探針樣品測試平臺是DP-SB120/1測試平臺的改型。其有底座、支架、旋動件、樣品平臺、四探針及接線板等組成。由于其整個結(jié)構(gòu)及旋動方式都在原DP-SB120/1的基礎(chǔ)上作了很大的改,故在校的物理實驗及科學(xué)研究總為導(dǎo)體/半導(dǎo)體的電阻和電阻率的測試、研究提供了較大的方便。





線圈平臺/亞歐德鵬線圈平臺 型號:DP-SB120

線圈平臺可用于校的物理教育實驗。
其中:DP-SB120線圈平臺及DP-SB120/1樣品平臺可分別對磁電阻薄膜的磁電阻及導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率行測試及研究。
該實驗平臺由帶360o刻度的底盤,安裝在底盤內(nèi)可旋轉(zhuǎn)360o的襯盤,安裝在底盤上的樣品平臺(低可調(diào))以及安裝在樣品平臺上的四探針等組成DP-SB100/1樣品平臺。
DP-SB120線圈平臺主要增加了二個相型的亥姆霍茲磁場線圈,分別安置在樣品平臺的兩側(cè),且固定在可旋轉(zhuǎn)360o的襯盤兩邊上,樣品平臺位于磁場的中心,在其通電0-60V/5A的情況下,可確保產(chǎn)生磁場0-150奧斯特。
該實驗平臺為被測樣品在磁場及非磁場情況下,對其的測試研究提供了方便。





四探針金屬/半導(dǎo)體電阻率測量儀 型號:DP-SB100A/20A

DP-SB100A/20A是DP-SB100A/20的升級版,其為用戶提供了使用DP-SB100A/20行四探針測試及實驗的配套軟件,可運(yùn)行于PC機(jī)上,能兼容運(yùn)行在Winxp和Win7系統(tǒng)中,用于自動獲取實驗臺的實驗數(shù)據(jù),并根據(jù)條件生成曲線和報表,輔助實驗人員自動成實驗,直觀的分析數(shù)據(jù),獲得實驗結(jié)論,保存實驗數(shù)據(jù)。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10-6—106Ω。
該測量儀由DP-SB118/20型電壓電流源,DP-PZ158A型直流數(shù)字電壓表,DP-SB120/2四探針樣品測試平臺及1臺電腦(選購),并附有配套的軟件系統(tǒng)等組成。產(chǎn)品的硬件詳情可參見DP-SB100A/20及相應(yīng)產(chǎn)品的介紹 。
該產(chǎn)品的軟件系統(tǒng)為用戶提供參數(shù)設(shè)置、實驗流程、實驗方式、數(shù)據(jù)分析、曲線報表,并在后臺數(shù)據(jù)庫中行長期保存,實驗人員可以查詢以前的何次實驗的結(jié)果、所有的曲線和報表都可提供打印能。
DP-SB118/20型直流電壓電流源 (帶RS232C接口,詳見該產(chǎn)品使用說明書)
l 直流電壓源:輸出電壓范圍 0~50V 分20mV、200mV、2V、20V、50V五檔,每檔輸出電壓可連續(xù)調(diào)節(jié),zui分辨力為1μV,基本誤差為0.1%。
l 直流電流源:輸出電流范圍 0~200mA 分20μA、200μA、2mA、20mA、200mA五檔,每檔輸出電流可連續(xù)調(diào)節(jié),zui分辨力為1nA,基本誤差為0.03%。
l 儀器后面板配有二個RS232C接口,,個為DP-PZ158A/RS232C接口連接至DP-PZ158A,另個為PC/RS232C接口連接至PC機(jī)上,可利用PC機(jī)上的“終端"獲得儀器的測量數(shù)據(jù)。
DP-PZ158A型數(shù)字電壓表(詳見該產(chǎn)品使用說明書)
可測量0~1000V直流電壓 具有200mV、2V、20V、200V、1000V五檔量程,zui分辨力為0.1μV,基本誤差為0.003%。
DP-SB120/2四探針樣品平臺(詳見該產(chǎn)品使用說明書)
為被測薄膜樣品,利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率,提供了方便。





四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀 型號:DP-SB100A/3型

由于金屬塊體材料的電阻和金屬薄膜的電阻很低,他們的測量采用四端接線法。為了滿足實際的需要,本儀器采用四探針法原理來實現(xiàn)對不同金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電分子材料的電阻及電阻率的測量。可用于校物理教育實驗,對導(dǎo)體/半導(dǎo)體/金屬薄膜材料的電阻 及電阻率的測試及研究。本產(chǎn)品的電阻測量范圍可達(dá)10-5—106Ω。

DP-SB100A/3型四探針導(dǎo)體/半導(dǎo)體電阻率測量儀是由DP-SB118/1型電壓電流源以及DP-SB120/2四探針樣品平臺二臺儀器構(gòu)成。
l DP-SB118型直流電壓電流源 (詳見該產(chǎn)品使用說明書)
直流電流源
a) 電流輸出范圍:1nA~200mA,輸出電壓不小于5V;
b) 量程:分五檔,20μA、200μA、2mA、20mA、200mA;
c) 電流輸出的基本誤差:0.03%RD±0.02%FS(20±2℃);其中50~200mA為0.05%RD±0.02%FS。
直流電壓源
a) 電壓輸出范圍:5μV~50V,負(fù)載電流不小于10mA(20mV以上);
b) 量程:分五檔,20mV、200mV、2V、20V、50V,每檔均有粗調(diào)和細(xì)調(diào);
c) 電壓輸出的基本誤差:0.05%RD±0.02%FS(20±2℃)。
數(shù)字電壓表(4?LED)利用電壓源分“取樣"端可對被測電壓行測試
a) 測量量程 20mV,200mV,2V,20V,200V
b) zui分辨力 可達(dá)1μV
c) 基本誤差為 0.03%RD±0.02%FS (20±2oC)
l DP-SB120/2四探針樣品平臺(詳見該產(chǎn)品使用說明書)
為被測薄膜樣品,利用四探針測量方式測量導(dǎo)體/半導(dǎo)體樣品的電阻和電阻率,提供了方便。




注:產(chǎn)品詳細(xì)介紹資料和上面顯示產(chǎn)品圖片是相對應(yīng)的 

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